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Descripción:
Transistor mosfet de potencia canal N 100V, 28A de suicheo rápido.

Características:
Encapsulado: TO220AB
Especificaciones:
Continuous Drain Current, VGS @ 10V: 28A
Drain-to-Source Breakdown Voltage: 100V
Temperatura de operación y de almacenamiento: -55°C ~ 175°C
irf540

Color


Dimensiones y peso del producto


Modelo / Estilo / Tipo


Contenido del empaque


Especificación: Circuito Integrado IRF540 Transistor mosfet de potencia canal N 100V, 28A de suicheo rápido

Peso 0.01 kg
Dimensiones 8 × 8 × 8 cm

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Circuito Integrado IRF540 Transistor mosfet de potencia canal N 100V, 28A de suicheo rápido

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Transistor mosfet de potencia canal N 100V, 28A

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