Descripción:
El ITR8102 consta de un diodo emisor de infrarrojos y un NPN
Fototransistor de silicio, recubierto lado a lado sobre un eje óptico convergente en una carcasa termoplástica negra․El fototransistor recibe radiación solo del LED IR. Esta es la situación normal.
Pero cuando un objeto está en el medio, el fototransistor no puede recibir la radiación.
Para obtener información adicional sobre los componentes, consulte IR908-7C y PT908-7C.

Características:
Tiempo de respuesta rapido
Este producto permanecerá dentro de la versión compatible con RoHS
Cumplimiento con EU REACH
Fototransistor de silicio, recubierto lado a lado sobre un eje óptico convergente en una carcasa termoplástica negra․
Especificaciones:
Entrada:

Disipación de potencia a (o por debajo) 25 ℃
Temperatura del aire libre (Pd) :75 mW
Voltaje inverso (VR) : 5 V
Corriente Directa (IF) : 50 mA
Salida:

Colector de disipación de potencia (pc) : 75 mW
Colector Corriente (IC) : 30 mA
Voltaje colector-emisor (B VCEO) : 30 V
Voltaje del emisor-colector (B VECO) : 5 V
Temperatura de funcionamiento (Topr) : -25 ~ + 85
Temperatura de almacenamiento (Tstg) :-40 ~ + 85
Temperatura de soldadura de plomo (* 1) (3mm del paquete) (Tsol) : 260 ℃