Características:

Polaridad del transistor: PNP
Encapsulado: TO-92
3 pines

Especificaciones:

Voltaje de colector-emisor V (br) ceo: -30 V
Frecuencia de transición ft: 150 MHz
Disipación de potencia Pd: 500 mW
Corriente del colector DC: -100 mA
Ganancia de corriente DC hFE: 110 hFE
Temperatura de operación máxima: 150 °C