El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.
El BUZ11 esta diseñado para aplicaciones como reguladores de conmutación, convertidores de conmutación, controladores de motor, controladores de relé y controladores para transistores de conmutación bipolares de alta potencia que requieren alta velocidad y baja potencia de accionamiento de compuerta.
Este tipo puede ser operado directamente desde circuitos integrados. Este producto es de uso general y adecuado para muchas aplicaciones diferentes.
Características:
Velocidad de conmutación de nanosegundos
Características de transferencia lineal
Alta impedancia de entrada
170ns tiempo de otoño
Aplicaciones: Alta corriente, alta velocidad de conmutación, conductores de solenoides y relés, reguladores, convertidores DC-DC y DC-AC, control de motor, amplificadores de audio
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd), pF: 1500 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS (on), Ohm: 0.04 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO220
Especificaciones:
Disipación total del dispositivo (Pd): 120 W
Tensión drenaje-fuente (Uds): 50 V
Tensión compuerta-fuente (Ugs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 36 A
Temperatura operativa máxima (Tj), : 150 °C