Características:
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V
Carga de compuerta (Qg): 61 nC
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.2 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO220AB
Especificaciones:
Disipación total del dispositivo (Pd): 150 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 19 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
Las aplicaciones más comunes son:
Resistencia controlada por tensión.
Circuitos de conmutación de potencia.
Mezcladores de frecuencia, con MOSFET de doble puerta.