Descripción:
Transistor Bipolar (BJT) NPN.
Características:
Encapsulado: TO-92
Especificaciones:
IC max: 100 mA
FT : 300 MHz
PTOT: 500 mW
VCEO: 30 V, VCBO: 30 V, VEBO: 5 V
hFE min: 110 (@ IC= 2 mA, VCE= 5 V
| Peso | 0.02 kg |
|---|---|
| Dimensiones | 10 × 10 × 10 cm |
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Transistor NPN de propósito general. IC: 100 mA, PTOT: 500 mW, VCEO: 30 V, VCBO: 30 V, VEBO: 5 V, FT : 300 MHz
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