Descripción:
Transistor Bipolar (BJT) NPN.
Características:
Encapsulado: TO-92
Especificaciones:
IC max: 100 mA
FT : 300 MHz
PTOT: 500 mW
VCEO: 30 V, VCBO: 30 V, VEBO: 5 V
hFE min: 110 (@ IC= 2 mA, VCE= 5 V
Color
NegroDimensiones y peso del producto
1010
10
0.500
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